1+Л+1

Ag-2Se

GeSe»

1вв'П

о

□ □

□ □ сивы ^ Пг

□□□ !вп! аппь

Agr2Se iSe Se GeSe2i—I

□

□ □

□ □ * □ 777,4

□ □ □ pi

V////,

п! Н“П □

77///>//////v/y;yyy/,

диффундирует в матрицу халькогенида, которая при этом стано­вится нерастворимой в основаниях. Материалы, следовательно, ве­дут себя как негативные резисты. Чувствительность резистов отно­сительно низка (8-10-5 Кл/см2 при 10 кВ), однако контрастность исключительно высока (у = 8). Система при экспонировании элек­тронным пучком дает линии шириной 0,3 мкм.

Подобные результаты получил Тай с сотрудниками [140] для системы халькогенидного стекла GeSe2 с Ag2Se в качестве радиа - ционно модифицируемого слоя. Щ таких резистов лежит в ин­тервале 10~4—10-5 Кл/см2, у > 6. Резисты совершенно не набу­хают, термически стабильны, обладают отличной стойкостью при плазменном травлении. Халькогенидные системы на основе As2S3 подробно изучены Чангом с сотрудниками [141]. Пленки резистов получают вакуумным испарением, а экспонирование проводят УФ-светом, электронным и рентгеновским излучением. Позже Чанг с сотрудниками [142] модифицировал эти резисты, по­крыв халькогенидный слой (около 0,3 мкм) слоем AgCl (около 0,02 мкм). По мнению авторов, при облучении возни­кает соединение Ag—As2S3, стойкое в растворах оснований и при плазменном травлении CF4. Несмотря на то что си­стема AgCl/As2S2 имеет большую чув­ствительность, чем As2S3, для практиче-

Рнс. VII. 28. Изменения в системе Ag2Se/GeSe2 после облучения:

1 — излучение (УФ-, электронное, рентгеновское); 2 — маска; 3 — резист; 4~ подложка.

ских целей эта чувствительность недостаточна. Предполагают [142, 143], что Ag выделившийся при облучении AgCl, диффундирует в слой As2S3, и образуется газообразный хлор. Ag, реагируя в слое с As2S3 дает соединение, которое изменяет растворимость халькогенидного стекла. Представление о путях реакций, веду­щих к изменению растворимости в системе Ag2Se/GeSe2, дает рис. VII.28 (см. также [144]). Для системы Ag2S/As2S3 предло­жен двухступенчатый процесс проявления, позволяющий улучшить характеристики рельефа и получить хорошо разрешенные линии шириной 30 нм в слое As2S3 толщиной 70 нм. Этот рельеф легко переносится в слой полиимида при травлении плазмой [145]. Си­стема Ag/As2S3 использована для получения офсетных печатных форм как в позитивном, так и в негативном варианте [146]. Изу­чены возможности применения в литографии As2S3, As2Se3, GeSe2 совместно с различными содержащими серебро веществами: Ag, Ag2S, Ag2Se, Ag2Te и др. [147]. В пат. Великобритании 1580170 описаны халькогенидные стекла SbS2 и SbSe2, причем в ка­честве металлического слоя использовались не только Ag, но так­же Си и TI,