AUTOMATION OF TECHNOLOGICAL PROCESS

5.1 Параметры контроля и регулирования

Сведения о контролируемых параметрах сведены в таблицу 5.1.

Таблица 5.1.-Контролируемые параметры

Регулируемые параметры сушильной камеры:

-температура воздуха в камере нагрева – Тв;

Управляющие параметры:

-включение и выключение основного и вспомогательного ТЭНов.

Возмущающие параметры:

-загрузка печи;

-температура и влажность воздуха на входе в камеру;

Принципиальная электрическая схема состоит из трех бло­ков; измерительный блок И-С-62, регулятора типа РП-2-СЗ и сис­темы импульсного фазного устройства (СИФУ).

Измерительное устройство представляет собой мост перемен­ного тока, одним из плеч которого является термопара ТП. Заданное значение температуры может устанавливаться задачиком R2 или кор­ректором R7. Питание моста осуществляется от вторичной обмотки трансформатора TV2. Изменение температуры вызывает изменение ЭДС термопары. На диагонали моста появляется переменное напря­жение. Напряжение питания изменяется резистором R8. С помощью этого резистора устанавливается чувствительность измерительного блока. Появившееся напряжение сигнала ошибки поступает через входной трансформатор ТV1 на транзисторный усилитель, затем сиг­нал поступает на выходные и соответственно на входные клемы элек­трического регулятора, демпфируется с помощью цепочки R14-С3. Постоянная времени этой цепочки может изменятся с помощью со­противления R14. Сумма сигналов через защитное сопротивление R16 поступает на модулятор образованный диодами VD5, VD6 и резисто­рами R17, R 18, R19. С помощью резистора R18 мост балансируется при отсутствии сигнала на входе. Мост питается от генератора пере­менного напряжения частотой 500 кГц, собранного в модуле питания. С этого же модуля через конденсатор С5 подается напряжение прямо­угольной формы частоты 50Гц, формируемое с помощью опорного диода VD10. Ёмкость р-n-перехода диодов VD5 и VD6 зависит от ве­личины и направления приложенного к диодам напряжения. По­этому напряжение 50 Гц разбалансирует мост и напряжение 500 кГц, подаваемое на другую диагональ, проходит через разбалансированный мост. При этом амплитуды сигнала 500 кГц одинаковы в оба полупе­риода сигнала УТЗ изменяется направление тока

В управляющих об­мотках. Таким образом, модуль усилителя в целом имеет на входе и выходе сигналы постоянного напряжения. Наличие модулятора и демодулятора приводит к существенному уменьшению дрейфа усили­теля.

Управляющая обмотка магнитного усилителя расположена в мо­дуле триггера. Модуль триггера состоит из магнитного усилителя, ох­ваченного положительной обратной связью с тиристором на входе. Два магнитных усилителя собраны на четырех пермаллоевых сердеч­никах каждый. Обмотки 1-1 и 2-2 служат для питания магнитного уси­лителя. Они же являются выходными (рабочими) обмотками усили­теля. При появлении импульсов определенной полярности на обмотке 3-4 индуктивное сопротивление одной из включенных навстречу об­моток 1-1 и 2-2 изменяется между средними точками 2’-1’ обмоток появляется разность напряжений. Под действием этой разности от­крывается один из тиристоров VS1 или VS2. При этом выпрямленное напряжение от обмотки 1-2-3 трансформатора ТV7 подается на один из зажимов Б или М. при появлении напряжения на выходных зажи­мах блока загорается одна из лампочек НЛ1 или НЛ2. Разность на­пряжений подается на сигнальную обмотку магнитного усилителя МУ3. Магнитные усилители МУ1 и МУ2 охвачены положительной обратной связью, которая выполнена на обмотках 5-6. При появлении напряжения между точками 1’-2’ через обмотку 5-6 протекает ток, что приводит к еще большему отпиранию тиристора. Обмотки 7-8 служат для введения в блок зоны нечувствительности, изменяемой с помощью резистора R25. Па эти обмотки подается выпрямленное напряжение от обмотки 3-4 трансформатора VT6. Появление напряжения между за­жимами МО и БО приводит к срабатыванию СИФУ.

С

ИФУ благодаря положительной обратной связи формирует прямоугольный импульс, для этого в цепь коллектора включается пер­вичная обмотка ТУ9, ТУЮ, вторичная обмотка подключена на вход между базой и эмитером УТ4 и УТ5. При открытии транзисторов и нарастании тока в цепи коллектора ЭДС вторичной обмотки смещает транзисторы в сторону еще большего открытия, когда транзисторы входят в состояние насыщения, нарастание тока коллектора прекра­щается и ЭДС исчезнет, транзисторы также резко закроются, как и от­крылись.

Вторичные обмотки ТV5 и ТV6 подсоединены на управляющие электроды VS3 и VS4 тринисторов соответственно, снятый импульс с этих обмоток поочередно будет открывать тринисторы VD7 и VD8. Питание на СИФУ подается с трансформатора ТV8.

Сигнал с выходных клемм СИФУ поступает па входные клеммы исполнительного механизма и приводит его в действие.50 Гц. Сигнал с частотой 50 Гц не пропускается конденсатором С4. Если на входе блока появляется н

Апряжение входного сигнала определенной поляр­ности, то происходит дополнительная разбалансировка моста и ам­плитуда сигнала 500 кГц становится различной в различные полупе­риоды частоты 50 Гц. Фаза этого сигнала определяется полярностью входного сигнала. С модулятора через конденсатор С4 напряжение поступает на вход полупроводникового усилителя, собранного на транзисторе VТ2 по схеме с общим эмиттером. Нагрузкой усилителя служит трансформатор ТV4. Усиленный сигнал выпрямляется однопо­лупериодным выпрямителем, собранным на диоде VD8. Переменная составляющая с частотой 50 Гц через конденсатор С8 подается на фа­зочувствительный транзисторный усилитель, собранный на транзи­сторе VT3. Напряжение высокой частотой (500 кГц) на вход этого каскада не поступает: оно отфильтровывается цепочкой С7-R25. Пи­тание цепи эмиттер - коллектор каскада осуществляется от выпрями­тельного моста VD12-VD15. Нагрузкой каскада являются управляю­щие обмотки 3-4 магнитных усилителей МУ1, МУ2.